第三十九章 走马观花(第2/3 页)
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终于轮到周建国可以近距离参观120位MOS移位寄存器的样品，跟他想象之中相比，成品的面积小得多，只有四根手指宽。
该款集成电路使用了最新的PMOS技术，即场效应管制造。在一块硅晶体衬底上，用光刻、扩散、离子注入等工艺制作成P沟道型场效应管电路。
晶体管现在分为两大类，一类是双极型晶体管，就是八零一一厂现在使用的元器件。第二类就是科技最新突破的产品，即场效应管，它跟前者最大的不同就是更合适在硅片上应用光刻技术制成。
从此款移位寄存器的设计示意图来看，制作场效应管犹如在硅片这张底板之上刻画了诸多纵横交错的线条，栅极长度控制在10-12微米大小，明显属于更先进的技术成果。
难怪自己之前刻舟求剑思考了，一直用八零一一厂�
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